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“深层”缺陷竟然可以提升硅电池效率

时间:2024-06-09 15:17:02 来源:金沙最新官方网站 点击:

本文摘要:根据美国政府国家可再生能源实验室(NREL)科学家的研究找到,硅太阳能电池如果不存在一定的缺失或许可以提升电池性能。 此项研究结果公布在《应用于物理快报》(AppliedPhysicsLetters),也是美国能源部SunShot计划资助的研究项目的一部分。 NREL首席研究员PaulStradins回应,此项研究结果看起来与传统观点互为背离。

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根据美国政府国家可再生能源实验室(NREL)科学家的研究找到,硅太阳能电池如果不存在一定的缺失或许可以提升电池性能。  此项研究结果公布在《应用于物理快报》(AppliedPhysicsLetters),也是美国能源部SunShot计划资助的研究项目的一部分。

NREL首席研究员PaulStradins回应,此项研究结果看起来与传统观点互为背离。  传统观点一般来说指出,硅太阳能电池中所谓的深层缺失一般来说被指出是很差的,因为它们不会重组电荷载流子(电荷载体),从而减少电池效率。

  但是NREL研究找到,故意设计的性能缺失实质上可以强化电池的载流子搜集,贤吸取层的表面腐蚀。  NREL团队在实验室的超级计算机上展开了很多模拟实验,在硅晶片邻接的水解层加到杂质。具体来讲,他们在厚的隧道二氧化硅层引进杂质;还在硅晶片邻接的氧化铝表面腐蚀层加到杂质。

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  这两种情况下加到杂质,被指出是有益的,通过提高电池多数载流子的传输速度,敌视少数载流子,能提升整体效率。  NREL模拟实验从硅晶片邻接的水解层除去某些原子,用一个有所不同元素的原子来更换,从而建构出有虚拟世界的缺失。例如,当氧原子被氟原子更换,这样就不会产生一个缺失,进而可以增进电子搜集。

  示意图:缺失点(红十字部分),有助从光吸收体搜集电子,挡住漏洞,进而诱导载流子填充。  NREL研究回应,确认出有准确的“缺失”才是过程的关键,通过更进一步研究将不会确认哪一处缺失将不会产生最差的结果。


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