迎接7nm时代英特尔、台积电等巨头们都做了什么？

半导体研究机构ICinsights于2017年3月3日公告中认为，2017年有11家半导体厂资本开支支出多达10亿美元，占到全球半导体产业综合的78％。而2013年，全球仅有8家半导体厂资本开支支出多达10亿美元水平。前十大厂有两家今年资本开支茁壮在两成以上，分别是英特尔的25％与格逻方德的33％。

英特尔的作法为了更进一步发展生产制程，英特尔将在2017年创建一座7纳米制程的试验工厂。该实验工厂将不会测试7纳米晶片生产制程。

不过，虽然英特尔未提到不会在何时开始这种制程晶片的量产，外界指出最少在未来2到3年内会构建。英特尔回应，7纳米制程将为晶片带给更大的设计变化，使其体积显得更加小，也更加节约能源。英特尔计划用于奇特的III－V材料（比如氮化镓）来展开晶片生产，在提升性能速度的同时也超过更长续航能力。

同时，他们将不会在生产中引进近于紫外线（EUV）工具，来帮助展开更为细致的功能转印过程。按照英特尔原本的“工艺、架构、优化”等三步骤来展开规划，7纳米制程的处理器原本最慢不应在2020年出样，2021年发货。事实上，根据业内推断，这些7纳米的处理器不太可能在6到7年内问世。格罗方德的作法格罗方德去年因生产能力闲置，资本开支大减半62％。

格逻方德已要求跳过10纳米，必要挑战7纳米制程，预料今年恨多数资本开支将用作订购新的设备与技术研发。此外，格罗方德在发展7纳米的同时把注意力放在了实际应用于上：22纳米FD－SOI（仅有消耗型绝缘层覆硅）制程生产线，产品将能普遍运用于行动终端、物联网、汽车电子等领域。在物联网浪潮下，FD－SOI技术也日益受到重视。

与FinFET比起，FD－SOI基板虽然较贵，但在掩模数量与生产工序比FinFET要较少一些，减少部分光罩成本也削减了生产时间，在技术上比FinFET更加合适转换／混合讯号以及RF，FD－SOI还不具备了低功耗的优势，因此，不少人指出FD－SOI将是物联网更佳自由选择，或能与FinFET有序。

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